[发明专利]一种磁传感器在审

专利信息
申请号: 201911215140.X 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN111044952A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 朱大鹏;李迎港;陈伟斌;郝润润;赵巍胜;冷群文 申请(专利权)人: 北京航空航天大学青岛研究院
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 柳岩
地址: 266104 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种磁传感器,包括:至少一个磁电阻传感单元,所述磁电阻传感单元为拓扑绝缘体和铁磁金属双层薄膜结构;或者,所述磁电阻传感单元为外尔半金属和铁磁金属双层薄膜结构;所述磁电阻传感单元被配置为沿其最大外轮廓方向通入电流,Rashba自旋轨道耦合作用下的等效磁场使所述磁电阻传感单元的磁矩偏置45°;基底和绝缘层,所述基底和所述绝缘层对所述磁电阻传感单元形成封装。通过至少一个磁电阻传感单元形成的磁传感器,其具有结构简单、易于制备、均匀性好的特点,偏置场可通过电流调节,大大简化了磁矩偏置的调节过程。同时磁传感器能够产生较强的Rashba磁电阻效应,可明显提高器件探测灵敏度。
搜索关键词: 一种 传感器
【主权项】:
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