[发明专利]被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201911219424.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111293083A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 中野铁马;川口英志;池田裕喜;吉川敏行;梁仙一 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 器件 芯片 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
