[发明专利]用于在半导体装置上制造柱结构的方法及系统

摘要

本申请案涉及用于在半导体装置上制造柱结构的方法及系统。一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有具第一表面、与所述第一表面相对的第二表面的导电衬底及覆盖所述第一表面的一部分的钝化材料，所述方法可包含将导电材料的晶种层施加到所述导电衬底的所述第一表面以及所述钝化材料，所述晶种层具有与所述导电衬底相对的第一面。所述方法可包含形成包括第一及第二材料的层的多个柱。所述方法可包含蚀刻所述晶种层以底切所述导电衬底与所述柱中的至少一者的所述第一材料之间的所述晶种层。在一些实施例中，所述第一材料与所述导电衬底之间与所述钝化材料接触的所述晶种层的横截面积小于所述第二材料的横截面积。