[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括：衬底；导电层，埋设于所述衬底中；堆叠结构，位于所述衬底上；以及穿过所述堆叠结构的垂直沟道结构，所述垂直沟道结构包括沟道层，所述沟道层包括位于所述堆叠结构中的第一部分和从所述第一部分延伸到所述导电层的第二部分，所述第二部分靠近所述第一部分的一侧的横向尺寸小于位于所述导电层中的另一侧的横向尺寸，其中所述横向尺寸为所述沟道层在平行于所述衬底表面的方向的尺寸。