[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201911225344.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110993618B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 余晶晶;王威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明通过对所述多晶硅层进行离子掺杂，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，且离子掺杂的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值可以设置于所述多晶硅层内，也可以设置于所述缓冲层和所述多晶硅层的接触面，还可以设置于所述缓冲层内，以此保持Vth稳定，增大S.S.或data range，改善画面均一性，提高显示面板温度场中的工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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