[发明专利]非易失性存储器器件和包括该器件的神经网络系统在审
申请号: | 201911225725.X | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN111340204A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 权俊秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063;G06F9/302;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种非易失性存储器器件,包括:存储器单元阵列,其中算术内部数据被写入该存储器单元阵列;以及算术电路,被配置为接收算术输入数据和算术内部数据,用于响应于算术命令的、神经网络的利用算术内部数据和算术输入数据的算术运算,使用算术内部数据和算术输入数据来执行算术运算以生成算术结果数据,以及输出神经网络的算术运算的算术结果数据。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 器件 包括 神经网络 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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