[发明专利]一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明的一种N型钝化接触太阳能电池的制备方法，其依次包括N型晶体硅基体进行双面抛光、背面依次生长隧穿氧化层及本征非晶硅层、本征非晶硅层掺杂处理、背面沉积氮化硅薄膜、前表面进行制绒、硼扩散、去除正面及绕扩到背面的硼硅玻璃层、正面制备钝化减反膜、背面印刷银浆及正面印刷银铝浆及烧结等步骤，以完成N型钝化接触太阳能电池的制备。本发明解决了常规工艺中因采用磷扩散工艺引起的漏电问题，省去了一步用高温退火激活背面掺杂源的步骤而减小了对硅基体的损伤并减少了工艺步骤，降低了生产成本，且采用板式PECVD设备制备氮化硅钝化膜而避免正面制绒的时候将卡槽印的位置制绒而造成外观不良。