[发明专利]一种半导体台面及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201911226977.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111106007B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 黄光伟;李立中;林伟铭;陈智广;吴淑芳 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体台面及蚀刻方法，其中方法包括如下步骤：先分别对待蚀刻层、底层进行不同掺杂类型、不同浓度的掺杂，随后通过涂布、黄光微影第一光阻层。以第一光阻层为掩膜，蚀刻待蚀刻层，并去除第一光阻层。沉积氮化物层，经蚀刻半导体衬底上表面，保留凸台侧壁的氮化物层，涂布第二光阻层，通过经黄光微影保留凸台处上的第二光阻层。最后采用湿蚀刻对剩余的待蚀刻层进行蚀刻去除，干蚀刻和湿蚀刻的相互配合避免直接干蚀刻损伤晶圆而导致的漏电，以及有效避免湿蚀刻形成的斜角凸台，从而减小层间电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 台面 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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