[发明专利]静电吸盘装置及包括该静电吸盘装置的等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201911227727.2 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112908919A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄国民;赵函一;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;刘琰 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)装置，其包括静电吸盘及基座。静电吸盘的上表面用以吸附晶圆。基座的上表面与静电吸盘的下表面连结，静电吸盘中具有贯通静电吸盘的冷却气体孔，基座具有与冷却气体孔相对应的冷却通道，在冷却通道的靠近冷却气体孔的一端设置多孔塞，多孔塞的靠近冷却气体孔的一侧设置第一凹部，聚合物材料填充第一凹部及粘合多孔塞和冷却通道的内壁。本发明通过在冷却气体孔对应基座的侧壁所形成凹部填充聚合物材料，以实现极大地提高短期制造可靠性和长期化学侵蚀的可靠性，从而防止冷却气体孔和/或容纳升降销的通孔过早产生电压击穿现象。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 装置 包括 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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