[发明专利]平板探测器像素结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911229329.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111129051B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 解海艇;金利波;欧阳纯方;朱翀煜 | 申请（专利权）人： | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种平板探测器像素结构及制备方法，该方法包括：提供基底，于基底上形成TFT漏极、源极及光敏二极管底电极；形成非晶铟镓锌氧化物有源层；于非晶铟镓锌氧化物有源层上依次形成TFT栅绝缘层及TFT栅电极层；以TFT栅电极层为遮罩，对非晶铟镓锌氧化物有源层进行N型重掺杂；于TFT区域形成TFT保护层，相邻两TFT保护层之间形成二极管的过孔；形成二极管的有机有源层及空穴传输层；于二极管区域的空穴传输层上形成透明顶电极层；形成像素保护层，通过像素保护层过孔形成与透明顶电极层互连的公共电极。本发明通过结合非晶铟镓锌氧化物和有机光敏二极管可实现大尺寸、柔性化平板探测器的生产和应用，同时简化了工艺，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 探测器 像素 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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