[发明专利]金属与聚合物的连接方法、连接结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201911230614.8 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110829174A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赖铭智;岳光礼;向宇;许聪基;高逸群 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属与聚合物的连接方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明方法先在所述聚合物表面制备作为过渡层的氮化硅薄膜，然后在氮化硅薄膜上制备所述金属。本发明还公开了一种金属与聚合物的连接结构及一种半导体器件。本发明针对半导体制造工艺中金属与聚合物之间连接不牢固的难题，开创性地采用氮化硅（SiNx）作为过渡层来提高聚合物与金属之间的粘附性以及聚合物的硬度。相比现有技术，本发明技术方案可使金属焊盘与聚合物的结合更牢固，并且实现成本低廉，操作工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 聚合物 连接 方法 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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