[发明专利]晶体生长装置及坩埚在审
| 申请号： | 201911230656.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111286780A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 金田一麟平;奥野好成;庄内智博 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体生长装置，其具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率比所述主体部低的低辐射部，所述加热部位于所述坩埚的外侧，利用辐射热来加热所述坩埚，所述低辐射部设置于在所述坩埚不具有低辐射部的情况下成为加热中心的第一点的外表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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