[发明专利]一种CMOS标准单元抗辐照加固电路在审
| 申请号： | 201911230922.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110880928A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张黛梦;谢小东;陈飞翔 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对于CMOS标准单元的抗辐照加固电路，该电路包括实现逻辑功能的上拉网络(PUN)和下拉网络(PDN)、两个p型沟道场效应晶体管P1、P2、两个n型沟道场效应管N1、N2。图1显示了一个通用的N个输入的逻辑门单元，它的所有输入同时分配到上拉和下拉网络。P1的栅极接低电平，N1的栅极接高电平。P2栅极接输出端口，源极与P1源极相连，漏极接低电平，N2栅极接输出端口，漏极接高电平，源极与N1的漏极相连。利用本发明，对标准单元的敏感节点进行抗辐照加固，在面积开销不大的前提下，明显提高了标准单元的抗单粒子翻转的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 标准 单元 辐照 加固 电路 | ||
【主权项】：
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