[发明专利]2bit存储器单元结构及操作方法有效
| 申请号： | 201911231904.4 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111179988B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张可钢;许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种2bit存储器单元结构，每个单元包含2个存储管A及A*及一个选择管，所述存储器单元能存储2bit数据，所述选择管的栅极引出形成所述存储器单元的第一字线，所述选择管的源极及漏区分别与其两侧的存储管的源极或者漏极相连，所述存储管的另外剩余的漏极或者源极分别形成存储器单元的第一位线及第二位线；所述存储器单元中的2个存储管的栅极引出形成第二字线及第三字线，所述第二字线及第三字线还连接在一起。所述的存储器单元在编程时，采用源端载流子注入的方式；在读数据时，存储管的源端电压用于屏蔽在读取存储管A时存储管A*的状态对存储管A的影响；读数据时选择管的读电压大于存储管的栅极电压，以增大读取电流。 | ||
| 搜索关键词： | bit 存储器 单元 结构 操作方法 | ||
【主权项】：
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