[发明专利]一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法有效
| 申请号： | 201911231999.X | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112903381B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李英涛;蒿鹏程;方峰;王永涛;崔彬;刘斌;张果虎 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/44;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种检测直拉重掺硅单晶生长纹理的方法。包括以下步骤：选择完整的直拉重掺硅单晶，截取单晶头部的圆锥和圆柱部分；纵向剖开取样片；在室温条件下对样片表面进行混酸腐蚀处理，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；对样片进行热氧化处理；使用质量百分比浓度为40％的氢氟酸对样片进行去氧化膜处理；对样片进行二次混酸腐蚀处理，然后纯水清洗至镜面效果，酸液为氢氟酸和硝酸的混合酸；对样片进行择优腐蚀处理，然后纯水洗净、氩气或N |
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| 搜索关键词： | 一种 检测 直拉重掺硅单晶 生长 纹理 方法 | ||
【主权项】：
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