[发明专利]聚合物发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了聚合物发光二极管及其制备方法。该衬底、金属氧化物透明阳极、金属酞菁修饰层、聚合物发光层和阴极。其中，金属氧化物透明阳极形成在衬底的至少部分表面；金属酞菁修饰层形成在金属氧化物透明阳极远离衬底的至少部分表面，所述金属酞菁修饰层包含式(I)所示化合物的纳米晶；聚合物发光层形成在金属酞菁修饰层远离金属氧化物透明阳极的至少部分表面；阴极形成在聚合物发光层远离金属酞菁修饰层的至少部分表面；该聚合物发光二极管采用非溶性金属酞菁作为阳极修饰材料，可在避免有毒有害有机溶剂使用的同时，显著提高器件的发光效率和寿命。式(I)中，各R分别独立地为H或甲基，且各R不均为H；M为Al、In或Ga。