[发明专利]一种降低磁开关饱和电感的电路结构及磁开关在审
| 申请号： | 201911238616.1 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110932707A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 樊旭亮;巴涛;刘胜;王利民;王俊杰;潘亚峰;孙旭;范红艳;王刚;郭旭 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究院 |
| 主分类号： | H03K17/90 | 分类号： | H03K17/90 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于脉冲功率技术领域，公开了一种降低磁开关饱和电感的电路结构及磁开关，磁开关包括主绕组，磁芯，附属绕组，陡化电容以及负载。附属绕组绕制在磁芯上；陡化电容的正极与负极分别与附属绕组的两端电连接。本发明通过增加附属绕组与陡化电容的方式，磁开关饱和之后主绕组磁场与陡化电容磁场方向相反，通过降低主绕组内磁通量进而减小饱和电感的目的，能够将主绕组电感降低至自身结构电感之下。本发明提供的降低磁开关饱和电感的电路结构，结构简单，方便实现或进行现有装置的改造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 开关 饱和 电感 电路 结构 | ||
【主权项】：
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