[发明专利]RAMO4在审

专利信息
申请号: 201911239070.1 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN111286781A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 领木直矢;宫野谦太郎;信冈政树;石桥明彦 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: C30B25/18 分类号: C30B25/18;C30B29/38;C30B29/22;C30B15/00;H01L21/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹阳
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板,其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中,R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素,A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素,M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素),在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时,由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上,该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
搜索关键词: ramo base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社,未经松下知识产权经营株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911239070.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top