[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911239729.3 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928097A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周震 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构与该半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上；多个凹槽，位于所述第一介质层中，所述凹槽的顶部尺寸大于所述凹槽的底部尺寸；第二介质层，位于所述凹槽的侧壁上；导电插塞，位于所述凹槽中。本公开的半导体结构及其制造方法可以改善形成导电插塞的导电材料的填充效果及其电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911239729.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
