[发明专利]一种高性能混相ZnMgO薄膜的制备方法及ZnMgO薄膜在审
| 申请号： | 201911241727.8 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110970529A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘可为;侯其超;申德振;陈星;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/67;H01L31/0296;C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的高性能混相ZnMgO薄膜的制备方法，将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgO薄膜，通过生长温度、锌源、镁源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnMgO薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 znmgo 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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