[发明专利]一种离子注入装置有效
| 申请号： | 201911242296.7 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111105971B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;王桂磊;王佳;刘青;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 丛洪杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种离子注入装置，属于半导体处理技术和设备领域，解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置，沿离子的运动方向，包括依次设置的起弧室和离子注入单元，离子注入单元包括底电极和横向电极；底电极位于衬底远离离子束线的一面，横向电极位于衬底的侧面，底电极与横向电极之间周期性地施加射频。本申请离子注入装置可用于衬底的保型掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
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