[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911243526.1 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110911346A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 钟志鸿;王珏;钟荣祥;周旭 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过形成掩模层以覆盖隔离氧化层，并定义出第一半导体器件的至少部分图形，并且该掩模层至少包括材料不同于隔离氧化层的第一掩模层，基于此，则至少在去除掩模层的第一掩模层时，可以确保刻蚀剂对隔离氧化层具有较小的刻蚀速率，避免了隔离氧化层被大量消耗的问题。如此一来，即能够保障隔离氧化层的隔离性能，有利于提高所形成的半导体结构的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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