[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备在审
| 申请号： | 201911244799.8 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111106160A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。该半导体器件包括：衬底；有源区，包括依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；栅堆叠，围绕沟道区的外周形成；以及间隔物，在栅堆叠与第一源/漏区和第二源/漏区之间围绕沟道区的外周形成；其中，间隔物具有沿平行于衬底的顶部表面的方向改变的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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