[发明专利]一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911245525.0 | 申请日： | 2019-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110838425B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 马立安;赖文宗;林德;魏朝晖;陈彦斌;唐天宝;王乾廷 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350118 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法，该阴极结构包括高导电的三维碳阵列，所述三维碳阵列表面沉积有金属钛纳米结构，形成核壳结构的钛/三维碳阵列；该阴极结构的制备方法，包括以下步骤：1）三维碳阵列制备；2）三维碳阵列表面离子刻蚀；3）在三维碳阵列上沉积金属钛层；4）金属钛/三维碳阵列真空退火。该阴极结构及其制备方法不仅有利于提高电子发射稳定性和发射电流密度，而且制备工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 修饰 三维 阵列 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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