[发明专利]功率半导体器件的建模方法、装置及电子设备有效
| 申请号： | 201911250014.8 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110991143B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 崔梅婷;陈艳芳;李翠;陈中圆;孙帅 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术领域，具体涉及功率半导体模块的建模方法、装置及电子设备，其中方法包括：获取目标功率半导体模块的三维几何模型及其参数；基于三维几何模型及其参数，计算接线端子与接线端口之间的寄生参数；其中，寄生参数用于表示所述连接线路之间的耦合关系；根据各个功率半导体芯片以及寄生参数，建立目标功率半导体模块的等效模型。通过计算目标功率半导体模块的接线端子与各个功率半导体芯片的接线端口之间的寄生参数，即，从目标功率半导体模块内的各个功率半导体芯片出发，针对各个功率半导体芯片进行差异化建模并同时等效了内部寄生参数差异，所得到的等效模型可以用于研究目标功率半导体模块内部各个芯片的电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 建模 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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