[发明专利]一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法有效
| 申请号： | 201911250769.8 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111440613B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 胡涛;邢攸美;高立江;王小眉;李玉兴;王小栋;尹云舰;方伟华;施珂 | 申请（专利权）人： | 杭州格林达电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 奚丽萍 |
| 地址： | 311228 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tmah 各向异性 蚀刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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