[发明专利]包括穿通电极的半导体器件在审
| 申请号： | 201911251130.1 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112216680A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 金昌铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/498;H01L23/538;G01R31/26;G01R31/28;G01R31/52;G01R31/54 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种包括穿通电极的半导体器件。半导体器件包括：第一半导体芯片；以及第二半导体芯片，其层叠在第一半导体芯片上，并且通过第一穿通电极和第二穿通电极而电连接至第一半导体芯片。在第二测试操作期间，第一半导体芯片可以将第一穿通电极电连接至第三测试电阻器。在第二测试操作期间，第一半导体芯片可以检测第一内部节点的电压电平，以测试第一穿通电极与第二穿通电极之间的短路故障，第一内部节点的电压电平由第三测试电阻器以及第一穿通电极和第二穿通电极的电阻值来确定。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 通电 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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