[发明专利]GaN肖特基二极管在审
| 申请号： | 201911251149.6 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048598A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 刘育青;安国雨;李少鹏;张志国 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 101399 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括GaN肖特基二极管本体，所述二极管本体包括半绝缘GaN衬底，特征在于：所述半绝缘GaN衬底的背面形成有金属图形，且所述金属图形不覆盖整个衬底的背面。提高了GaN肖特基二极管的工作频率，使得其可以突破现有的工作频率，达到500GHz，且改善了二极管的可操作性，减弱了芯片翘曲，可有效的防止其在制备的过程中损坏。 | ||
| 搜索关键词： | gan 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京国联万众半导体科技有限公司，未经北京国联万众半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911251149.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于神经网络的导航方法、装置及终端设备
- 下一篇：焊接控制方法及焊接控制系统
- 同类专利
- 专利分类
