[发明专利]用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法有效
| 申请号： | 201911253665.2 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113026092B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 胡彭年 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法，所述籽晶层结构包括第一籽晶层、设置在所述第一籽晶层外侧的第二籽晶层，所述第一籽晶层包括若干紧密排布的方块籽晶，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶。本申请通过在第一籽晶层的外周设置第二籽晶层，所述条状籽晶与方块籽晶的接缝在后续长晶过程中所生成的晶界能够阻挡自坩埚侧壁成核生长的多晶朝中间区域延伸生长，提高所述第一籽晶层所对应区域的单晶占比与硅锭质量，且该籽晶层结构设计简洁，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 铸锭 籽晶 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911253665.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种转轴加工用定位夹具
- 下一篇：一种枯草可分散油悬浮剂及其制备工艺
