[发明专利]垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法在审
| 申请号： | 201911256351.8 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112310079A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 垂直存储器装置及用于制造垂直存储器装置的方法。一种用于制造垂直存储器装置的方法包括：在第一基板上方形成包括垂直晶闸管和字线的存储器单元阵列；在第二基板形成外围电路单元；将存储器单元阵列与外围电路单元接合；去除第一基板以露出垂直晶闸管的一侧；以及形成联接到垂直晶闸管的一侧和外围电路单元的位线。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储器 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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