[发明专利]等离子体处理设备及其气体挡板结构、等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201911256969.4 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112951696A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 魏强;苏兴才;杨金全 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王娇娇 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种等离子体处理设备的气体挡板结构，第一基板和设置在第一基板第一表面的多个间隔件，第一基板和多个间隔件形成多个气体腔，多个气体腔包括中心腔和环绕中心腔的至少一个环形腔，至少一个环形腔包括至少两个第一气体腔，各第一气体腔分别对应一个第一入气通路，各第一入气通路独立控制，从而使得各第一气体腔对应的第一入气通路中通入的第一气体流量独立控制，进而在刻蚀过程中，可以基于待处理晶圆表面的刻蚀需求和刻蚀情况，单独控制环形腔中的各第一气体腔中通入的气体流量，以调节距离待处理晶圆中心同一距离不同位置处的刻蚀速率，改善待处理晶圆表面距离其中心同一距离不同位置处的刻蚀不均匀现象。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 及其 气体 挡板 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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