[发明专利]一种复合介质栅双器件光敏探测器的晶圆堆叠结构有效
申请号: | 201911257285.6 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111146223B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 马浩文;沈凡翔;李张南 | 申请(专利权)人: | 南京威派视半导体技术有限公司;南京大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 211135 江苏省南京市江宁区麒*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合介质栅双器件光敏探测器的晶圆堆叠结构。该结构的复合介质栅双器件光敏探测器包括具有感光功能的MOS‑C部分和具有读取功能的MOSFET部分,探测器的MOS‑C部分设置在上晶圆,探测器的MOSFET部分设置在下晶圆;上晶圆和下晶圆堆叠集成在一起;探测器的MOS‑C部分和探测器的MOSFET部分通过通孔相连。本发明的堆叠结构能提高光敏探测器的填充系数,并能减小读取过程中对感光区的影响,提高信噪比和灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 介质 器件 光敏 探测器 堆叠 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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