[发明专利]IGZO纳米线的制备方法、IGZO薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911257377.4 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110880536A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘荣跃;丁庆;王鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;华讯方舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/12 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 胡鹏飞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体器件技术领域，提供了IGZO纳米线的制备方法、IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过若干IGZO纳米线形成沟道层，并使得若干IGZO纳米线与经过源极和漏极之间的直线平行，从而使得电子可以直接从源极沿着IGZO纳米线传输到漏极，极大提高了IGZO薄膜晶体管的电迁移率，解决了目前制备的非晶IGZO TFT，存在的稳定性和可靠性都比较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | igzo 纳米 制备 方法 薄膜晶体管 及其 | ||
【主权项】：
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