[发明专利]一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法

摘要

本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl2O3‑dTiO2‑eSiO2‑fNb2O5‑gSrO‑hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃‑1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。