[发明专利]一种增强型碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911258411.X | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111081759B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 吴苏州;李晓云;杨高洁;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872;H01L27/06;H01L21/04;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型碳化硅MOSFET器件，自下而上依次为：背面金属，N+型重掺杂SiC衬底，N‑外延层，绝缘介质层以及正面金属。本发明将肖特基二极管集成到MOSFET器件当中通过灵活增减肖特基势垒金属层的面积来调整和适配MOSFET及肖特基二极管的电流和规格，从而起到增加MOSFET开关速度，降低开关损耗等作用，可以大幅提升器件性能和可靠性，并降低器件应用成本。采用沟槽型SiC MOSFET设计，将导电沟道从传统的水平方向变更为垂直方向，从而消除了传统MOSFET的原胞之间的JFET效应，提升器件的电流能力。沟槽底部的栅底P区可以保护减弱沟槽底部电场，对槽底栅氧起到一定的静电屏蔽的作用，提升器件的可靠性。同时对器件耐压也有一定的帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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