[发明专利]一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺在审
| 申请号： | 201911259122.1 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110965127A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陶术鹤;李聪;李志远;张伟才 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺，本热处理强化工艺通过将硅切片在特定温度下恒温1小时，然后随炉冷却至室温，使得硅切片的强度从未热处理时的1.12lbf升高到热处理后的2.52lbf。升温速率为15℃/min，恒温温度为650℃±20℃，恒温时间为1小时。相比未热处理硅切片，热处理后硅切片强度提升125%，极大降低了后道加工工序如：倒角、研磨的碎片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅单晶 切片 热处理 强化 工艺 | ||
【主权项】：
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