[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版有效
| 申请号： | 201911259258.2 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110690219B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌;高志虎 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版；其中，所述三维存储器包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区；填充在至少两相邻存储单元区之间的填充材料层；其中，所述堆叠结构还包括分布在所述存储单元区之间的应力缓冲区，所述填充材料层在所述至少两相邻存储单元区之间被所述应力缓冲区间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制备 方法 光刻 掩膜版 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区；/n填充在所述存储单元区之间的填充材料层；/n其中，所述堆叠结构还包括分布在至少两相邻存储单元区之间的应力缓冲区，所述填充材料层在所述至少两相邻存储单元区之间被所述应力缓冲区间隔。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
