[发明专利]高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法在审
| 申请号： | 201911259265.2 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110957636A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 曲轶;任永学;李再金;赵志斌;乔忠良;李林 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高峰值功率1550nm激光二极管芯片及制备方法，该芯片包括多个PN结、高掺杂电阻区和N型衬底；多个PN结从下到上依次叠加；每两个PN结之间通过高掺杂电阻区连接；N型衬底位于最低层PN结的下方；如果没有高掺杂电阻区，会导致上一个的n结连接到下一个的p结，二极管呈反向状态，电流无法正向导通，而该芯片中增加高掺杂电阻区，实现了芯片中上下两个PN结的级联，使其量子效率大大提高，可以在注入较少电流的情况下发出较强的光功率，实现了发光芯片的功率密度的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 峰值 功率 1550 nm 激光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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