[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911259455.4 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111092123A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;韩广涛;葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括：衬底；位于所述衬底顶部的阱区、漂移区和分别位于所述阱区和所述漂移区中的源区和漏区；位于所述漂移区表面的第一介质层；位于所述漂移区表面且覆盖所述第一介质层的第一部分表面的第一场板；部分覆盖所述第一场板表面并堆叠在所述第一介质层的第二部分表面上的第二介质层；以及位于所述第二介质层表面上的第二场板，其中，所述第二场板包括至少一个接触通道。该横向双扩散晶体管采用接触通道作为第二场板，减少了制作工艺，同时增加了第二场板与硅衬底之间的距离，使得晶体管的击穿电压提升，同时导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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