[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版

摘要

本发明实施例公开了一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版；其中，所述三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括沿衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，所述存储单元区在平行于所述方向的第一方向上的端部为栅极连接端；填充材料层，填充在堆叠结构的至少一部分之上以及存储单元区之间的衬底之上；其中，沿平行于衬底平面方向的第二方向上的相邻两存储单元区之间具有第一间距，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向上的相邻两存储单元区之间具有第二间距；第一间距小于等于第二间距。