[发明专利]一种采用阳极氧化原位生长八面体锆基MOF材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201911264281.0 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN110952125A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 杨丽霞;杨天巧;罗胜联 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;B01J31/22;B01J35/10;C08G83/00
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 黄文亮
地址: 330000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种采用阳极氧化原位生长八面体锆基MOF材料的制备方法,在锆片上通过阳极氧化法同时在阳极和阴极原位生长成八面体形貌的UiO‑66,然后用DMF和甲醇分别清洗,置于空气中自然晾干后再在真空干燥箱中干燥可得。最后获得八面体结构的UiO‑66。本发明益处:首先,本合成UiO‑66的方法绿色方便,合成时间较短,合成条件简单,可大规模工业生产。本发明合成八面体直径可达几百纳米,反应时活性位点丰富,比表面积大。其次,本实验的原料成本较低、方便易得。最后,整个实验过程制备的八面体状固态催化剂方便使用且有利于回收,不会造成二次污染,还可以应用于光催化制氢、气体吸附等领域。
搜索关键词: 一种 采用 阳极 氧化 原位 生长 八面体锆基 mof 材料 制备 方法
【主权项】:
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