[发明专利]电子设备在审
申请号: | 201911264534.4 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN112310146A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 韩在贤;刘香根;李世昊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种包括半导体存储器的电子设备。所述半导体存储器包括:具有基本水平的上表面的基板;第一至第N层,所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开,其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线;绝缘层,所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间;具有侧壁的孔,所述孔在垂直方向上延伸穿过所述绝缘层并在所述导电线之间延伸,以在所述孔的侧壁中暴露所述第一至第N层的所述导电线;可变电阻层,所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上;以及导电柱,所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔,其中,N为2或大于2的自然数。 | ||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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