[发明专利]一种LED晶粒的光电性能检测方法有效
| 申请号： | 201911265651.2 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110931382B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 郭祖福;官婷 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 刘伊旸;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED晶粒的光电性能检测方法，包括如下步骤：1)用统一的标准片对所有机台进行校正，并指定其中至少一台为标准机且设定扩张比参数，余下不设定扩张比参数的为工作机；2)在非扩张状态下，将切割成晶粒的晶圆放置在工作机上，得到检测数据，检测时利用晶粒本身的位置及边长推算出晶粒上电极的位置；3)对晶圆进行扩张处理，并转移至标准机上再一次进行抽测，得到标准数据；4)将检测数据与标准数据进行比较，对于误差不超过3％的，系统处理数据时根据抽测值进行修正，而误差在3％以上的则判定检测该片晶圆的工作机出现异常，同时向工程师发出警示。本发明取消了检测时对晶圆的扩张和扫描步骤，实现了对产品的一致性管控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 晶粒 光电 性能 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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