[发明专利]一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201911265972.2 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111009604A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 黄高翔;黄彦;刘自磊;王进贤;秦心悦;魏加湖;李凤 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/52;C09K11/62 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 黄文亮 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种基于Mn掺杂双发射Ag‑In‑Ga‑S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，包括制备绿色环保型的量子点AgInGaS |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mn 掺杂 发射 ag in ga 合金 量子 白光 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌航空大学，未经南昌航空大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911265972.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
