[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
| 申请号： | 201911266333.8 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111312617A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 上野智宏;青山敬幸;大森麻央;北澤貴宏;秋吉克一 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够容易地进行热处理条件的条件设定的热处理方法及热处理装置。将收容构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入至热处理装置之后，对各半导体晶圆设定规定了处理顺序及处理条件的制程配方。接着，测定收容于载具的各半导体晶圆的反射率。基于所设定的制程配方与测定出的半导体晶圆的反射率，估算闪光加热处理时半导体晶圆的到达预测温度，并显示该估算的到达预测温度。因为可将所显示的到达预测温度作为参考来设定处理条件，所以能够容易地进行热处理条件的条件设定。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
