[发明专利]一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构在审
| 申请号： | 201911266969.2 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110931629A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 尚正国;陈宇昕 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/18;H01L41/29;H01L41/39;B81C1/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于高掺钪浓度氮化铝生长的结构，属于机电技术领域。该结构从下到上依次包括：硅衬底、粘附层、下电极层、氮化铝种子层、低掺钪浓度氮化铝钪种子层和高掺钪浓度氮化铝钪压电层。以该结构为核心制备技术生长的高掺钪浓度氮化铝钪压电薄膜，具有良好的晶体生长质量、较低的应力以及较高的压电系数，以此为基础制备的压电薄膜器件具有良好的性能；而且，采用多层种子层以减小层间晶格适配，提高氮化铝钪晶体生长质量以及减小薄膜应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高掺钪 浓度 氮化 生长 结构 | ||
【主权项】：
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