[发明专利]一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉有效

专利信息
申请号: 201911267011.5 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN110957632B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 罗校迎;于振坤;郎超;冉维彬;耿琳;徐磊;陈晓华 申请(专利权)人: 北京凯普林光电科技股份有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;杨博涛
地址: 100070 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种改善半导体激光阵列光谱半宽的微通道热沉,该微通道热沉包括:自下而上依次设置的底层、进出液层、隔离层、换热层和顶层;顶层表面用于安装半导体激光阵列,在半导体激光阵列安装区域的下方,换热层设置有横向分布的微通道阵列,微通道阵列从半导体激光阵列的后腔面向前腔面逐渐密集分布,微通道阵列的液体流向沿半导体激光阵列的慢轴方向,从微通道阵列的中间向两侧流动。本发明中微通道热沉的结构设计减少了微通道热沉的水阻,使得半导体激光阵列整体散热性能提高,并且使两侧与中间温度分布均匀,从而达到均匀散热的目的,进而降低半导体激光器的光谱半宽。
搜索关键词: 一种 改善 半导体 激光 阵列 光谱 通道
【主权项】:
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