[发明专利]深N阱电压动态控制电路在审
申请号: | 201911267296.2 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN111049506A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 杜翎;李昌红;吴霜毅 | 申请(专利权)人: | 成都铭科思微电子技术有限责任公司 |
主分类号: | H03K17/10 | 分类号: | H03K17/10;H03K17/567 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 贾波 |
地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了深N阱电压动态控制电路,包括PW电压选择电路和NMOS采样开关,还设置有电荷泵电路及DNW电压选择电路,所述NMOS采样开关的PW连接PW电压选择电路的输出、NMOS采样开关的DNW连接DNW电压选择电路的输出,PW电压选择电路的两个输入分别连接输入信号VIN和偏置电压VBULK,电荷泵电路的三个输入分别连接偏置电压VTOP、偏置电压VBOT和输入信号VIN,电荷泵电路的输出连接DNW电压选择电路的一个输入;DNW电压选择电路的另一个输入连接偏置电压VNS;根据NMOS采样开关工作状态,通过分时动态控制其DNW电压,有效降低了PW与DNW间寄生二极管的最大反偏电压,从而达到了提高输入信号电压范围的目的。 | ||
搜索关键词: | 电压 动态控制 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都铭科思微电子技术有限责任公司,未经成都铭科思微电子技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911267296.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。