[发明专利]一种ZnGaO紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911267432.8 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110797422B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种ZnGaO紫外探测器，包括依次复合而成的衬底、锌镓氧材料薄膜、金属叉指电极和铟电极；所述锌镓氧材料薄膜中锌与镓的原子比大于1:2，所述锌镓氧材料薄膜为尖晶石结构。本发明提供的ZnGaO紫外探测器所使用的ZnGaO薄膜的晶相是ZnGa |
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| 搜索关键词： | 一种 zngao 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnGaO紫外探测器，其特征在于，包括依次复合而成的衬底、锌镓氧材料薄膜、金属叉指电极和铟电极；/n所述锌镓氧材料薄膜中锌与镓的原子比大于1:2，所述锌镓氧材料薄膜为尖晶石结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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