[发明专利]半导体器件的导电结构在审
| 申请号： | 201911268361.3 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111326497A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金玄永;郭逃远;徐康元 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件。该半导体器件包括导电结构，该导电结构包括：上部导线，该上部导线布置在下部器件层中的电路组件上方，并且通过通孔插塞与下部器件层中的电路组件电连接，其中，上部导线在通孔插塞上横向延伸；中间层，具有基本均匀的厚度，设置在通孔插塞和上部导线之间，并且横向延伸超过通孔插塞的平面投影，其中，所述上部导线通过所述中介层与所述通孔插塞电连接；及覆盖层设置在上部导线上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导电 结构 | ||
【主权项】：
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